SPB04N50C3ATMA1
Numéro de produit du fabricant:

SPB04N50C3ATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SPB04N50C3ATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 560 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventaire:

12807230
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SPB04N50C3ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
560 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
470 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SPB04N

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
SPB04N50C3XT
SPB04N50C3-DG
SPB04N50C3INDKR-DG
SPB04N50C3INDKR
2156-SPB04N50C3ATMA1-ITTR
SPB04N50C3INTR-DG
IFEINFSPB04N50C3ATMA1
SPB04N50C3ATMA1TR
SPB04N50C3INTR
SP000014477
SPB04N50C3ATMA1DKR
SPB04N50C3INCT-DG
SPB04N50C3INCT
SPB04N50C3
SPB04N50C3ATMA1CT

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF830STRLPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1310
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF830STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.91
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB9NK80Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB9NK80Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.92
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
STB11NK50ZT4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
872
NUMÉRO DE PIÈCE
STB11NK50ZT4-DG
PRIX UNITAIRE
1.34
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF830SPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1095
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF830SPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.84
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF830ASPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
556
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF830ASPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.83
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IRL3103D2S

MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK

infineon-technologies

SPI11N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

infineon-technologies

IRLHM630TRPBF

MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

infineon-technologies

IRF1010EZLPBF

MOSFET N-CH 60V 75A TO262