Numéro de produit du fabricant:
SPI11N60CFDHKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPI11N60CFDHKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventaire:
12807233
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SOUMETTRE
SPI11N60CFDHKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3-1
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
SPI11N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000229994
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-DG
SP000680990
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP13NM60ND
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
87
NUMÉRO DE PIÈCE
STP13NM60ND-DG
PRIX UNITAIRE
1.64
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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