Numéro de produit du fabricant:
IPW65R125CFD7XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPW65R125CFD7XKSA1-DG
Description:
HIGH POWER_NEW
Description détaillée:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventaire:
12988685
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SOUMETTRE
IPW65R125CFD7XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ CFD7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 420µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1694 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
98W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IPW65R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
448-IPW65R125CFD7XKSA1
SP005413372
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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