Numéro de produit du fabricant:
S2M0025120D
Product Overview
Fabricant:
SMC Diode Solutions
DiGi Electronics Numéro de pièce:
S2M0025120D-DG
Description:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 63A (Tj) 446W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventaire:
300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988691
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SOUMETTRE
S2M0025120D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
SMC Diode Solutions
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
63A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4402 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
446W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
-1765-S2M0025120D
1655-S2M0025120D
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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