Numéro de produit du fabricant:
BSS138WT106
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS138WT106-DG
Description:
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
Description détaillée:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Inventaire:
1958 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988693
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SOUMETTRE
BSS138WT106 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 310mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
UMT3
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
846-BSS138WT106CT
846-BSS138WT106TR
846-BSS138WT106DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TK5A60W5,S5VX
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
