Numéro de produit du fabricant:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Description détaillée:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventaire:
10343 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799628
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SOUMETTRE
BSC060P03NS3EGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6020 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC060
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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