Numéro de produit du fabricant:
BSZ110N06NS3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Description détaillée:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventaire:
16802 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799645
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SOUMETTRE
BSZ110N06NS3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 23µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2700 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TSDSON-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
BSZ110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSZ110N06NS3 GDKR-DG
SP000453676
BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3GATMA1TR
BSZ110N06NS3GINTR
2156-BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR-DG
BSZ110N06NS3GATMA1DKR
BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINDKR-DG
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-DG
BSZ110N06NS3 GDKR
INFINFBSZ110N06NS3GATMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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