Numéro de produit du fabricant:
BSD214SNH6327XTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSD214SNH6327XTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventaire:
5980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799636
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SOUMETTRE
BSD214SNH6327XTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
143 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT363-PO
Emballage / Caisse
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
BSD214
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
448-BSD214SNH6327XTSA1TR
448-BSD214SNH6327XTSA1DKR
INFINFBSD214SNH6327XTSA1
BSD214SN H6327-DG
BSD214SNH6327XTSA1-DG
2156-BSD214SNH6327XTSA1
SP000917656
BSD214SN H6327
448-BSD214SNH6327XTSA1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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