ICE35N60W
Numéro de produit du fabricant:

ICE35N60W

Product Overview

Fabricant:

IceMOS Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

ICE35N60W-DG

Description:

Superjunction MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247

Inventaire:

1200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001910
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SOUMETTRE

ICE35N60W Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
IceMOS Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
68mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6090 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
231W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
5133-ICE35N60W

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
goford-semiconductor

G13P04S

P-40V,-13A,RD(MAX)<15M@-10V,VTH-

good-ark-semiconductor

GSFU9506

MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,

rohm-semi

R6013VNXC7G

600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH

icemos-technology

ICE10N60FP

Superjunction MOSFET