Numéro de produit du fabricant:
ICE10N60FP
Product Overview
Fabricant:
IceMOS Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ICE10N60FP-DG
Description:
Superjunction MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaire:
500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001926
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SOUMETTRE
ICE10N60FP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
IceMOS Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
330mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
5133-ICE10N60FP
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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Superjunction MOSFET
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