Numéro de produit du fabricant:
GSFU9506
Product Overview
Fabricant:
Good-Ark Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GSFU9506-DG
Description:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Description détaillée:
N-Channel 950 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001922
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SOUMETTRE
GSFU9506 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Good Ark Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
950 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1250 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
4786-GSFU9506
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R6013VNXC7G
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
