Numéro de produit du fabricant:
ICE60N130W
Product Overview
Fabricant:
IceMOS Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ICE60N130W-DG
Description:
Superjunction MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
90 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001928
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SOUMETTRE
ICE60N130W Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
IceMOS Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
150mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2730 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
5133-ICE60N130W
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
E3M0040120K
SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-
G2003A
MOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L
