Numéro de produit du fabricant:
GT023N10T
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT023N10T-DG
Description:
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Description détaillée:
N-Channel 100 V 140A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
71 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13309555
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SOUMETTRE
GT023N10T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
140A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8086 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
3141-GT023N10T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
