Numéro de produit du fabricant:
FQI4N90TU
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQI4N90TU-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Description détaillée:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventaire:
1502 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947371
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SOUMETTRE
FQI4N90TU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK (TO-262)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FQI4N90
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
254
Autres noms
2156-FQI4N90TU
ONSFSCFQI4N90TU
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFB38N20DPBF
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
FDD3706
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
