Numéro de produit du fabricant:
IRFB38N20DPBF
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFB38N20DPBF-DG
Description:
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée:
N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
3600 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947374
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SOUMETTRE
IRFB38N20DPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
226
Autres noms
2156-IRFB38N20DPBF
INFINFIRFB38N20DPBF
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDD3706
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
