Numéro de produit du fabricant:
IRFR120
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFR120-DG
Description:
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
Description détaillée:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996604
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SOUMETTRE
IRFR120 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Informations supplémentaires
Forfait standard
666
Autres noms
2156-IRFR120-600039
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Affected
Certification DIGI
Produits Connexes
RF1K4909096
RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT
IRFW550ATM
40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL MO
CSD16325Q5
CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF
