Numéro de produit du fabricant:
SCTWA70N120G2V-4
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCTWA70N120G2V-4-DG
Description:
DISCRETE
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4
Inventaire:
12996620
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SOUMETTRE
SCTWA70N120G2V-4 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
91A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3540 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
547W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
SCTWA70
Informations supplémentaires
Forfait standard
600
Autres noms
497-SCTWA70N120G2V-4
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2SJ646-TL-E
2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
PMK50XP,518
NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.
IPD42DP15LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
