CSD16325Q5
Numéro de produit du fabricant:

CSD16325Q5

Product Overview

Fabricant:

Texas Instruments

DiGi Electronics Numéro de pièce:

CSD16325Q5-DG

Description:

CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF
Description détaillée:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Inventaire:

5572 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996614
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SOUMETTRE

CSD16325Q5 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Bulk
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4000 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
327
Autres noms
2156-CSD16325Q5-296

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
sanyo

2SJ646-TL-E

2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

nxp-semiconductors

PMK50XP,518

NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.

infineon-technologies

IPD42DP15LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3