Numéro de produit du fabricant:
FQPF11N50CF
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF11N50CF-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
985 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947284
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SOUMETTRE
FQPF11N50CF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
FRFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
550mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2055 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
193
Autres noms
FAIFSCFQPF11N50CF
2156-FQPF11N50CF
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDD8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M