Numéro de produit du fabricant:
FDD8878
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD8878-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
30452 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947285
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SOUMETTRE
FDD8878 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
880 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
611
Autres noms
FAIFSCFDD8878
2156-FDD8878
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FQPF10N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1