RJK1535DPE-LE
Numéro de produit du fabricant:

RJK1535DPE-LE

Product Overview

Fabricant:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RJK1535DPE-LE-DG

Description:

40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Description détaillée:
N-Channel 150 V 40A 100W Surface Mount LDPAK

Inventaire:

7899 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947289
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

RJK1535DPE-LE Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1420 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LDPAK
Emballage / Caisse
SC-83

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
94
Autres noms
2156-RJK1535DPE-LE
RENRNSRJK1535DPE-LE

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FDD8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRF2805STRL

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

nxp-semiconductors

PHB66NQ03LT

NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM

nxp-semiconductors

PMPB29XNE,115

MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6