Numéro de produit du fabricant:
FQI7N60TU
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQI7N60TU-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947534
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SOUMETTRE
FQI7N60TU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1430 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK (TO-262)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FQI7N60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
210
Autres noms
2156-FQI7N60TU
ONSONSFQI7N60TU
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NX3008NBKMB315
NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
CMS10P10D-HF
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
NTMFD001N03P9
POWER MOSFET, N-CHANNEL POWERTRE
