Numéro de produit du fabricant:
FDD8451
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD8451-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Description détaillée:
N-Channel 40 V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
17802 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946478
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDD8451 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta), 28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
24mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
990 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
766
Autres noms
2156-FDD8451
FAIFSCFDD8451
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDP8441
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQPF8N90C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F