FQPF2N70
Numéro de produit du fabricant:

FQPF2N70

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQPF2N70-DG

Description:

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 700 V 2A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

42241 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946481
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SOUMETTRE

FQPF2N70 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
439
Autres noms
2156-FQPF2N70
ONSONSFQPF2N70

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FCPF9N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI