Numéro de produit du fabricant:
FQPF8N90C
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF8N90C-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Description détaillée:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventaire:
2796 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946480
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SOUMETTRE
FQPF8N90C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2080 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FQPF8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
237
Autres noms
2156-FQPF8N90C
ONSFSCFQPF8N90C
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
FCPF9N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
