Numéro de produit du fabricant:
FCH25N60N
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH25N60N-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
7298 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946169
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SOUMETTRE
FCH25N60N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SupreMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3352 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
216W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
80
Autres noms
FAIFSCFCH25N60N
2156-FCH25N60N
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK7E8R3-40E,127
75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
FCPF11N60
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
