Numéro de produit du fabricant:
BUK7E8R3-40E,127
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK7E8R3-40E,127-DG
Description:
75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
Description détaillée:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
1749 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946171
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SOUMETTRE
BUK7E8R3-40E,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1730 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
686
Autres noms
2156-BUK7E8R3-40E,127
NEXNEXBUK7E8R3-40E,127
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FCPF11N60
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
