Numéro de produit du fabricant:
FCPF11N60
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCPF11N60-DG
Description:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
461 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946176
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FCPF11N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SuperFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1490 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
175
Autres noms
2156-FCPF11N60
ONSFSCFCPF11N60
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
FDS6294
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
