BS170-D26Z
Numéro de produit du fabricant:

BS170-D26Z

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BS170-D26Z-DG

Description:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventaire:

146646 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947065
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SOUMETTRE

BS170-D26Z Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
830mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,143
Autres noms
ONSFSCBS170-D26Z
2156-BS170-D26Z

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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