IRFU5410PBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFU5410PBF

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFU5410PBF-DG

Description:

IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Description détaillée:
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventaire:

281224 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947074
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRFU5410PBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
66W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK (TO-251AA)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
532
Autres noms
INFINFIRFU5410PBF
2156-IRFU5410PBF

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FDPF10N60ZUT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6775MTRPBF

IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQPF17N40T

MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F