Numéro de produit du fabricant:
FDPF10N60ZUT
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDPF10N60ZUT-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12947077
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SOUMETTRE
FDPF10N60ZUT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
-
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1980 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
246
Autres noms
2156-FDPF10N60ZUT
ONSONSFDPF10N60ZUT
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF6775MTRPBF
IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQPF17N40T
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
FCPF4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
