Numéro de produit du fabricant:
G2014
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G2014-DG
Description:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
Description détaillée:
N-Channel 20 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventaire:
2960 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000887
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SOUMETTRE
G2014 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1710 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-DFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
3141-G2014DKR
4822-G2014TR
3141-G2014CT
3141-G2014TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
G40P03K
P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
MSCSM120SKM31CTBL1NG
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
