Numéro de produit du fabricant:
DMTH10H4M5LPSWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH10H4M5LPSWQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
2450 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002758
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMTH10H4M5LPSWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 107A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4843 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMTH10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH10H4M5LPSWQ-13CT
31-DMTH10H4M5LPSWQ-13DKR
31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M5LPSW
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2500
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M5LPSW-DG
PRIX UNITAIRE
0.79
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
G160P03KI
MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
GT045N10M
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
G1K1P06HH
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
