Numéro de produit du fabricant:
G160P03KI
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G160P03KI-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Description détaillée:
P-Channel 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
13002761
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SOUMETTRE
G160P03KI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
4822-G160P03KITR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G160P03KI
FABRICANT
Goford Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
4700
NUMÉRO DE PIÈCE
G160P03KI-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
GT045N10M
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
G1K1P06HH
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
DMN1019USNQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
