Numéro de produit du fabricant:
G1K1P06HH
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G1K1P06HH-DG
Description:
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Description détaillée:
P-Channel 60 V 4.5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
4679 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002766
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SOUMETTRE
G1K1P06HH Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
981 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-G1K1P06HHTR
4822-G1K1P06HHTR
3141-G1K1P06HHCT
3141-G1K1P06HHDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN1019USNQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
SQS182ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
DMN2710UFB-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
