DMN65D8LT-13
Numéro de produit du fabricant:

DMN65D8LT-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN65D8LT-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Description détaillée:
N-Channel 60 V 210mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventaire:

13001062
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SOUMETTRE

DMN65D8LT-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
210mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
24 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-523
Emballage / Caisse
SOT-523
Numéro de produit de base
DMN65

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN65D8LT-13CT
31-DMN65D8LT-13TR
31-DMN65D8LT-13DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMN65D8LT-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN65D8LT-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NVMYS9D3N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

onsemi

NVBL099N65S3

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

nexperia

PSMN4R5-80YSFX

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

nexperia

GAN190-650EBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE