Numéro de produit du fabricant:
GAN190-650EBEZ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GAN190-650EBEZ-DG
Description:
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11.5A (Ta) 125W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Inventaire:
2317 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001067
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SOUMETTRE
GAN190-650EBEZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+7V, -1.4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
96 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN8080-8
Emballage / Caisse
8-VDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
GAN190
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
1727-GAN190-650EBEZTR
5202-GAN190-650EBEZTR
934665904332
1727-GAN190-650EBEZDKR
1727-GAN190-650EBEZCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AOTF42S60
MOSFET
GAN140-650FBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
GAN080-650EBEZ
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
