Numéro de produit du fabricant:
PSMN4R5-80YSFX
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN4R5-80YSFX-DG
Description:
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Description détaillée:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventaire:
1500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001066
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SOUMETTRE
PSMN4R5-80YSFX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6009 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
238W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PSMN4R5
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
934661575115
1727-PSMN4R5-80YSFXDKR
1727-PSMN4R5-80YSFXCT
5202-PSMN4R5-80YSFXTR
1727-PSMN4R5-80YSFXTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
GAN190-650EBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
AOTF42S60
MOSFET
GAN140-650FBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE