DMG1012UWQ-7
Numéro de produit du fabricant:

DMG1012UWQ-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMG1012UWQ-7-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Description détaillée:
N-Channel 20 V 950mA (Ta) 460mW Surface Mount SOT-323

Inventaire:

2680 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000829
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SOUMETTRE

DMG1012UWQ-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
950mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
43 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
460mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-323
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base
DMG1012

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMG1012UWQ-7TR
31-DMG1012UWQ-7CT
31-DMG1012UWQ-7DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

SCT4026DRHRC15

750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

diodes

DMTH8008LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

taiwan-semiconductor

TSM60NB260CI

600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G65P06T

P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~