Numéro de produit du fabricant:
WAS530M12BM3
Product Overview
Fabricant:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
WAS530M12BM3-DG
Description:
SIC 2N-CH 1200V 630A
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount
Inventaire:
12988031
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SOUMETTRE
WAS530M12BM3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Wolfspeed
Emballage
Box
Série
-
État du produit
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
630A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 127mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1362nC @ 15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
38900pF @ 800V
Puissance - Max
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
-
Numéro de produit de base
WAS530
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
-3312-WAS530M12BM3
1697-WAS530M12BM3
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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