G05NP06S2
Numéro de produit du fabricant:

G05NP06S2

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G05NP06S2-DG

Description:

MOSFET N/P-CH 60V 5A/3.1A 8SOP
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 5A (Tc), 3.1A (Tc) 2.5W (Tc), 1.9W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventaire:

7490 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988141
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

G05NP06S2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Standard
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc), 3.1A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Puissance - Max
2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Numéro de produit de base
G05N

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
3141-G05NP06S2TR
3141-G05NP06S2DKR
3141-G05NP06S2CT
4822-G05NP06S2TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
goford-semiconductor

G170P03S2

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP

goford-semiconductor

G05N06S2

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

infineon-technologies

IRF40H233ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON