E3M0060065K
Numéro de produit du fabricant:

E3M0060065K

Product Overview

Fabricant:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

E3M0060065K-DG

Description:

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventaire:

62 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12987714
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SOUMETTRE

E3M0060065K Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Wolfspeed
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
79mOhm @ 13.2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 3.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1170 pF @ 600 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
131W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
-3312-E3M0060065K
1697-E3M0060065K

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3798(STA4,Q,M)

POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S

diotec-semiconductor

DI020P06PT

MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM

infineon-technologies

IAUC120N04S6N006ATMA1

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TW015N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO