Numéro de produit du fabricant:
2SK3798(STA4,Q,M)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
Description:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Description détaillée:
N-Channel 900 V 4A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventaire:
12987734
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SOUMETTRE
2SK3798(STA4,Q,M) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220SIS
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
264-2SK3798(STA4,Q,M)-DG
264-2SK3798(STA4QM)
264-2SK3798(STA4,Q,M)
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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