Numéro de produit du fabricant:
C3M0350120J-TR
Product Overview
Fabricant:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
C3M0350120J-TR-DG
Description:
SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventaire:
13005826
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SOUMETTRE
C3M0350120J-TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Wolfspeed
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
C3M™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+15V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
345 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (max.)
40.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
C3M0350120
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
1697-C3M0350120J-TRCT
1697-C3M0350120J-TR
1697-C3M0350120J-TRDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
GAN190-650FBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
STW65N023M9-4
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
GSGA6R015
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
