Numéro de produit du fabricant:
GAN190-650FBEZ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GAN190-650FBEZ-DG
Description:
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11.5A (Ta) 125W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5
Inventaire:
2013 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13005833
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
GAN190-650FBEZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+7V, -1.4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
96 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN5060-5
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
GAN190
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
1727-GAN190-650FBEZCT
1727-GAN190-650FBEZTR
5202-GAN190-650FBEZTR
934665905332
1727-GAN190-650FBEZDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STW65N023M9-4
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
GSGA6R015
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
PSMQC094N10NS2_R2_00201
100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO
