Numéro de produit du fabricant:
SIHG22N60EL-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHG22N60EL-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaire:
13006930
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SOUMETTRE
SIHG22N60EL-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1690 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG22
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Certification DIGI
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