Numéro de produit du fabricant:
SI1480DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1480DH-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Description détaillée:
N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
2990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13061548
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SOUMETTRE
SI1480DH-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
130 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
SI1480
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1480DHT1GE3
SI1480DH-T1-GE3DKR
SI1480DH-T1-GE3CT
SI1480DH-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI1480DH-T1-BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI1480DH-T1-BE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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