SI1480DH-T1-BE3
Numéro de produit du fabricant:

SI1480DH-T1-BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI1480DH-T1-BE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Description détaillée:
N-Channel 100 V 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Inventaire:

12945873
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SOUMETTRE

SI1480DH-T1-BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
130 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
SI1480

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI1480DH-T1-BE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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