Numéro de produit du fabricant:
SQS423EN-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQS423EN-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Description détaillée:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
12787508
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SOUMETTRE
SQS423EN-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1975 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SQS423
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SQS423EN-T1_GE3DKR
SQS423EN-T1_GE3CT
SQS423EN-T1_GE3-DG
SQS423EN-T1_GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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