Numéro de produit du fabricant:
SIHB15N65E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHB15N65E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Description détaillée:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12787511
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SOUMETTRE
SIHB15N65E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1640 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
34W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB15
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14G65W,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3525
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14G65W,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.93
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB25N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
630
NUMÉRO DE PIÈCE
STB25N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
2.75
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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